Sintered Silicon Carbide (SSiC) ກະເບື້ອງ hexgonal

ກະເບື້ອງ silicon carbide sintered (SSiC) hexgonal ແມ່ນການປຸງແຕ່ງໂດຍ sintered ທີ່ບໍ່ມີຄວາມກົດດັນຈາກຝຸ່ນຊິລິຄອນ carbide ຄວາມບໍລິສຸດສູງ ultra-fine ໃນ furnace ສູນຍາກາດທີ່ອຸນຫະພູມຂອງ 2100 ° C - 2200 °..ດ້ວຍປະສິດທິພາບກົນຈັກລະດັບພຣີມຽມ, ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ອຸນຫະພູມສູງ, ໂດຍສະເພາະການສົມທົບກັບແຜ່ນຢາງເປັນແຜ່ນສວມໃສ່ທີ່ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ຫຼືເປັນອົງປະກອບເຄື່ອງຈັກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງເຊັ່ນ: ປັ໊ມຂັບ, ແຂນ, ແຫວນປະທັບຕາ, ຫົວ, ພຸ່ມໄມ້ແລະອື່ນໆ.