ປະຕິກິລິຍາ Bonded Silicon Carbide ກະເບື້ອງ
ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງປະຕິກິລິຍາ Bonded Silicon Carbide
1) ຄວາມຫນາແຫນ້ນຕ່ໍາ.
2) ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ.
3) ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່.
4) ຄວາມຕ້ານທານ oxidation.
5) ການຕໍ່ຕ້ານການຂັດ.
6) ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ (ເນື່ອງຈາກຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ).
7) ຄວາມເຂັ້ມແຂງທີ່ດີເລີດຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ.
8) ການຄວບຄຸມຂະຫນາດທີ່ດີຂອງຮູບຮ່າງສະລັບສັບຊ້ອນ.
ຜະລິດຕະພັນທີ່ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່: ແຜ່ນ Silicon carbide, ດິນຈີ່ Silicon carbide, ທໍ່ທໍ່, ໂກນທໍ່, ໄຊໂຄລນ, ແລະອື່ນໆ.
ເຄື່ອງເຟີນີເຈີເຕົາເຜົາ: ແຜ່ນ, Beam, Roller, Burner Nozzle, Round beam, square beam, hole beam.Crucible, Sagger, etc.
ອື່ນ: nozzles desulfurization
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງປະຕິກິລິຍາ Bonded Silicon Carbide:
ປະຕິກິລິຍາຜູກມັດ silicon carbide ໄດ້ພິສູດວ່າເປັນທາງເລືອກອຸປະກອນທີ່ດີເລີດສໍາລັບການນໍາໃຊ້ການສວມໃສ່ເຊັ່ນ: liners ທໍ່, Nozzles, chokes ການຄວບຄຸມການໄຫຼແລະອົງປະກອບສວມໃສ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ໃນການຂຸດຄົ້ນບໍ່ແຮ່ເຊັ່ນດຽວກັນກັບອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆ.
ພາຣາມິເຕີຫຼັກ
| ຄຸນສົມບັດ | ໜ່ວຍ | SiSiC/RBSIC |
| ຄວາມໜາແໜ້ນ (SiC) | V01% | ≥85 |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ | g/ຊມ3 | 3.01 |
| porosity ປາກົດຂື້ນ | % | ＜0.1 |
| Modulus ຂອງ rupture ຢູ່ 20 ℃ | Mpa | 250 |
| Modulus ຂອງ rupture ຢູ່ 1200 ℃ | Mpa | 280 |
| Modulus ຂອງ elasticity ທີ່ 20 ℃ | Gpa | 330 |
| ຄວາມທົນທານຂອງກະດູກຫັກ | Mpa*m1/2 | 3.3 |
| ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ 1200 ℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຢູ່ທີ່ 1200 ℃ | a×10-6/ ℃ | 4.5 |
| ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ 1200 ℃ | ດີຫຼາຍ | |
| ຄ່າສໍາປະສິດຂອງລັງສີຄວາມຮ້ອນ | <0.9 | |
| ອຸນຫະພູມສູງສຸດທີ່ເຮັດວຽກ | ℃ | 1350 |
ຂະໜາດ
ສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.
ການບໍລິການ
ພວກເຮົາຍອມຮັບຄໍາສັ່ງທີ່ກໍາຫນົດເອງ.
ຖ້າຫາກທ່ານຕ້ອງການທີ່ຈະຮູ້ຂໍ້ມູນຜະລິດຕະພັນເພີ່ມເຕີມ, ຍິນດີຕ້ອນຮັບກັບພວກເຮົາແລະພວກເຮົາຈະໃຫ້ທ່ານຜະລິດຕະພັນທີ່ເຫມາະສົມທີ່ສຸດແລະການບໍລິການທີ່ດີທີ່ສຸດ!
